2017年下半年DRAM、NAND ASP增速放缓 年度增长创新高

2019 年 6 月 11 日30

日前,ICInsights发布最新McClean报告中指出,2017年DRAM和NAND的平均售价(ASP)的增长速度将于第三季度逐渐放缓,但以全年来看,DRAMASP的年增长率达63%,NANDASP增长33%,均创下了历史新高。

2017年下半年DRAWNAND ASP增速放缓,年度增长创新高

2017年下半年DRAWNAND ASP增速放缓,年度增长创新高

经ICinsights预测,DRAM和NAND存储器的销量预计今年将创历史新高,究其原因是因为产品平均售价(ASP)的快速增长。具体来看,2017年DRAM的实际出货量预计会有所下滑,而NAND出货量仅增长2%,但足够推动闪存市场的增长势头。图中显示了DRAM、NAND的季度ASP增长率:从2016年第三季度开始到2017年第二季度,DRAM的平均售价(ASP)上涨了16.8%,NAND上涨了11.6%,保持了持续增长态势。

随着DRAM平均售价的快速增长,DRAM厂商将再次加大对这一领域的支出。然而,技术研发的投入占比远远大于量产的投入。ICInsights预测2017年所有闪存的支出将用于3DNAND技术而非2D闪存。因此今年在NAND闪存的最大投入来自三星,7月4日,三星电子平泽工厂全球最大规模半导体生产线正式投产,将生产第四代64位V-NAND,月产能可达20万片,并计划持续扩充生产设备。

纵观历史态势,大量资金投入通常会导致产能过剩和定价疲软的情况出现。因此,三星、SKHynix、Micron、英特尔、东芝/闪迪和长江存储,都计划在未来几年内大幅度提升3DNAND闪存容量,这一轮将有中国的厂家加入进来。那么在未来几年内,产能过剩的现象极有可能再发生。

ICInsights数据显示,DRAM季度平均售价在2016年第四季度上升到22.8%(最高),一直到2017年第二季度仍呈现强劲上涨趋势。据ICInsights预测,DRAMASP预计在2017年第三季度达到最高,在2017年第三季度开始小幅度下滑,标志着一个良性周期就此告一段落。

经预测,尽管今年下半年DRAMASP的增长速度将会放缓,但DRAMASP的年增长率仍将有63%,这比1997年的历史最高年增长率仍高出6个百分点,创下又一个历史新高。而2017年,NAND的年度ASP预计将增长33%,创历史新高。(2000年,以NORFlash的ASP上涨了52%。)

责任编辑:陈彩霞

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