电子行业：关注存储扩产下的半导体设备机遇

　　AI浪潮席卷全球，存储产业进入上行周期。2024年至今，AI训练工作负载的激增推动了存储市场新一轮增长，改写传统存储周期逻辑，企业级AI资本开支成为重要支撑，驱动HBM、DDR4/DDR5及企业级SSD等市场大规模增长。据Yole Group预测，2025年-2030年存储市场收入将持续上涨，2024年至2030年的CAGR达10%；此外，预计2024年至2030年间，全球HBM收入将以33%的复合年增长率增长，到本十年末，其在DRAM市场的份额有望达到前所未有的50%。

　　存储产业正进入产能扩张与量价齐升通道。为了增加Al和服务器所需的DRAM（包括HBM）的供应，2025年三星、SK海力士、美光这三大DRAM原厂都在积极推动工艺的迁移，比如将DDR4产线转产DDR5，升级原有的DDR5产线转向HBM，以及对于部分产能的扩展，这也导致DRAM原厂整体的资本支出同比增8长0%超。过从资本开支与价格提升持续性来看，据TrendForce预测，DRAM产业的资本支出在2026年将6成13长亿至美元，年增率达14%，均价同比上升的幅度将达58%，ASP来到1.63美元；NAND Flash资本支出在2026年预计增长至222亿美元，年增约5%，预计单价会实现32%的同比增长，ASP来到0.10美元。

　　国内存储扩产加速，核心设备迎来机遇。随着海外原厂将资本开支倾斜于HBM为代表的高端存储产品，传统存储的供需缺口具有持续性，因此国内存储厂商扩产的紧迫性不断上升。目前，长鑫存储已完成IPO辅导，当前其在DDR5和LPDDR5产品上正实现显著增长，Counterpoint预测，长鑫存储在DDR5市场的份额将从第一季度不到1%上升至年底的7%，在LPDDR5市场的份额将从0.5%激增至9%，先进制程技术发展迅猛。近期，长江存储三期正式注册成立，若项目正式投产，长江存储的产能将实现跨越式增长，计划力争到2026年底占据全球NAND闪存供应量的15%。而在存储扩产的必然趋势下，设备作为扩产的前置环节，迎来重要机遇窗口。例如，3D 堆叠存储快速发展，为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，目前主流产品已超过200 层，未来还将向1000 层迈进，这使得对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，同时堆叠层数增加的同时每层薄膜厚度要求严苛，ALD与CVD协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。

　　投资建议：建议关注存储扩产背景下催生的上游半导体设备等领域投资机遇，半导体设备方面，建议关注北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科、京仪装备、长川科技、芯源微、中科飞测、微导纳米等；除此之外，半导体材料及核心零部件方面，建议关注新菜应材、江丰电子、富创精密、正帆科技、珂玛科技、石英股份，菲利华、汉钟精机、福晶科技、腾景科技、南大光电、鼎龙股份、安集科技等。

　　风险提示：1）供应链风险；2）国产产品性能不及预期的风险；3）市场需求不及预期的风险。